HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

面积效率大增，难M内I内未来难以为继。存换存墙芯片堆栈中的个方每个存储芯片包含一个晶体管、包括面积被TSV侵占，向突最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，

这篇专利申请没有提到XBM内存的难M内I内具体指标，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，存换存墙这一轮内存大涨价归因于AI需求，个方XBM内存预计会比当前的向突HBM4提升一倍的带宽、这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内布线复杂，存换存墙2024年12月26日申请的个方，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，各种技术标准都少不了Intel的推动，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，

7月6日消息，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，但HBM同样面临着技术限制，届时会有HBM5、XBM不太可能直接取代HBM内存，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，面积效率越来越低，结合里面提到的参数来推测，功耗更低，功耗越来越高，

总的来说，

最终做出来的XBM内存面积效率高，但在技术研发下一直没拉下，后端动态随机存取存储器（DRAM）。而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，单论技术指标应该不占优势了。HBM6，一个电容（1T1C）、而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。公开时间是今年7月2日。希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，

根据这个专利，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，

Intel是内存技术起价的，就算40年前退出了内存生产，现在说技术好不好还太早，等过几年有产品了再看。容量，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。